인피니언이 2㎸ CoolSiC MOSFET 62㎜ 모듈을 출시했다(사진. 인피니언).

인피니언 테크놀로지스(이하 인피니언)가 1500VDC 애플리케이션을 위한 고전압 솔루션 2㎸ CoolSiC 디바이스의 출시를 알렸다.

고전력 밀도에 대한 요구가 커지면서 개발자들은 인버터 전력을 높이고 시스템 비용을 낮추기 위해 애플리케이션에 1500VDC 링크를 도입하고 있다. 1500VDC 기반 시스템은 높은 DC전압에서 빠르게 스위칭하기 위해 멀티-리벨 토폴로지가 필요하기 때문에 설계가 복잡해지고 더 많은 부품을 요구한다. 이런 새로운 과제를 해결하기 위해 인피니언은 CoolSiC™ 포트폴리오에 고전압 솔루션을 추가해 차세대 태양광, EV 충전, 에너지 저장 시스템을 지원하게 됐다.

확장된 CoolSiC 포트폴리오는 최대 1500VDC 애플리케이션을 위한 2㎸ 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET과 2㎸ SiC 다이오드를 제공한다. 새로운 SiC MOSFET은 단일 디바이스에 낮은 스위칭 손실과 높은 블로킹 전압을 결합해 1500VDC 시스템의 요구를 최적으로 충족한다. 새로운 2㎸ CoolSiC 기술은 낮은 드레인-소스 온 저항[RDS(on)]이 특징이다. 또 견고한 바디 다이오드는 하드 스위칭에 적합하다. 이 기술은 충분한 과전압 마진을 확보해 우주방사선(Cosmic ray)으로 인한 FIT가 1700V SiC MOSFET와 비교해 10배 더 우수하다. 확장된 게이트 전압 동작 범위는 디바이스의 사용 편의성을 높인다.

새로운 SiC MOSFET 칩은 인피니언의 첨단 SiC MOSFET 기술인 M1H에 기반한다. M1H는 게이트 전압 범위를 훨씬 더 넓힐 수 있어 주어진 칩 크기의 온 저항을 향상한다. 더 넓은 게이트 전압 범위는 게이트 상에서 드라이버 및 레이아웃 관련 전압 피크의 견고함을 높이고 높은 스위칭 주파수에서도 무리 없이 작동하게 한다. 인피니언은 2㎸ SiC MOSFET 지원을 위해 최대 2.3㎸의 기능적 절연을 적용한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버를 제공한다.